Wire bonding ist der Prozess zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einem Chip und seinem Package. Dieser Prozess verwendet dünne Drähte, um vom Chip zum Package zu bonden. Typischerweise besteht der Draht aus Cu, Au oder Al. Die allgemein verwendeten Drahtgrößen sind 0,7 mil, 0,8 mil, 0,9 mil, 1 mil und 1,2 mil. In den frühen Tagen des Wire Bonding wurden hauptsächlich Au-Drähte verwendet, aber heute verwendet die Mehrheit der Industrie Cu- oder Al-Drähte aufgrund von Kostenerwägungen. Au wird jetzt nur noch für einige wenige Anwendungen verwendet, die meisten davon im Zusammenhang mit Forschungs- und Entwicklungsaufgaben.
Es gibt einige Arten von Wire Bonding: Ball Bonding, Wedge Bonding und Ribbon Bonding. Beim Ball Bonding wird eine kleine Kugel am Drahtende gebildet, indem Wärme und Ultraschallenergie verwendet werden, um den Draht an die Oberfläche zu befestigen. Ball Bonding wird hauptsächlich mit Au- oder Cu-Drähten durchgeführt. Wedge Bonding hingegen verwendet normalerweise keine Wärme und verlässt sich ausschließlich auf Ultraschallenergie und ein keilförmiges Werkzeug, um die Haftung zu erreichen. Ribbon Bonding ist eine Variation des Wedge Bonding, bei der der Bonding-Draht im Allgemeinen breiter ist als beim Standard-Wedge Bonding. Typischerweise wird Wedge Bonding mit Al-Drähten durchgeführt.
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